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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
임도 (건국대학교) 박기찬 (건국대학교) 오환술 (건국대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第48卷 SD編 第3號
발행연도
2011.3
수록면
1 - 6 (6page)

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N-channel 산화물 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT)만을 이용한 저소비전력 inverter, NAND, NOR의 논리 게이트 회로를 제안한다. 제안된 회로는 asymmetric feed-through와 bootstrapping을 이용해서 pull-up, pull-down 스위치가 동시에 켜지지 않도록 설계하였다. 그 결과로 출력신호 전압 범위가 입력신호 전압과 동일하고 정전류가 흐르지 않는다. 인버터는 5개의 TFT와 2개의 capacitor로, NAND 및 NOR 게이트는 각각 10개의 TFT와 4개의 capacitor로 구성된다. 산화물 TFT 모델을 사용하여 SPICE 시뮬레이션을 수행하여 제안된 회로의 동작을 성공적으로 검증하였다.
#n-channel oxide TFT #logic gate #low power #asymmetric feed-through #bootstrapping

목차

요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Characteristics of Oxide TFTs
Ⅲ. Inverter
Ⅳ. NAND Gate
Ⅴ. NOR Gate
Ⅵ. Conclusion
References
저자소개

참고문헌 (8)

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1. [학술지(정기간행물)] - 권장연 / 2010 / 산화물 TFT 연구 동향 / 인포메이션 디스플레이 11 (2) : 2 ~ 5 dbpia 2. [학술지(정기간행물)] - 정재경 / 2009 / 산화물 TFT 기술 및 AMOLED 응용 / 인포메이션 디스플레이 10 (4) : 42 ~ 48 dbpia 3. [학술지(정기간행물)] - 우두형 / 2009 / LTPS TFT의 Vth와 mobility 편차를 보상하기 위한 AMOLED 화소 회로 / 전자공학회논문지 - SD 46 (4) : 45 ~ 52 dbpia 4. [학술지(정기간행물)] - 김나영 / 2009 / 저전압에서 다결정 실리콘 TFT의 불균일한 특성을 보상한 새로운 AMOLED 구동회로 / 전자공학회논문지 - SD 46 (8) : 1 ~ 5 dbpia 5. [단행본] - Sung-Mo Kang / 1999 / CMOS Digital Integrated Circuits - Analysis and Design 2nd Ed. / Mc Graw Hill : 141 ~ 195 google schola

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