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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.3
- 수록면
- 12 - 17 (6page)
이용수
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본 논문에서는 기존의 대면적 수평형 GaN (Gallium Nitride) LED (Light-emitting diode) 전극패턴이 갖는 전류의 집중현상 및 소자 내 발열문제를 최소화하고 전기적·광학적 특성의 향상을 위하여 팔각 핑거 타입의 전극패턴을 제안하였고, 범용적으로 사용되는 기본 전극패턴 및 그를 대칭적으로 개량한 전극패턴과의 특성을 비교·분석하였다. 상용 3차원 시뮬레이터 SpecLED/RATRO를 통한 시뮬레이션 결과, 본 연구에서 제안한 팔각 핑거 타입의 전극패턴을 갖는 LED 소자가 동일한 350 ㎃의 전류주입 하에서의 동작전압이 약 0.34 V 정도 감소되는 전기적 특성의 향상을 확인하였고, 광출력 또한 타 구조에 비하여 약 7.72 ㎽ 정도 향상되는 광학적 특성을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 토론
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (11)
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1. [학술지(정기간행물)] - D. W. Kim / 2005 / Study of Transparent Contact to Vertical GaN-Based Light-Emitting Diodes / J. Appl. Phys., 053102-1 98 (5)
2. [학술지(정기간행물)] - 이성재 / 2005 / InGaN LED에서 칩 구조 및 칩마운트 구조에 따른 광추출효율에 관한 연구 / 한국광학회지 16 (3) : 275 ~ 286
3. [단행본] - E. Fred Schubert / 2006 / Light-Emitting Diodes / CAMBRIDGE : 8 ~ 22
4. [단행본] - 신무환 / 2008 / LED 패키징 기술 입문 / 도서출판 북스힐 : 60 ~ 72
5. [학술지(정기간행물)] - X. A. Cao / 2004 / High-power and reliable operation of vertical light-emitting diodes on bulk GaN / Appl. Phys. Lett 85 (18) : 3971 ~ 3973
2. [학술지(정기간행물)] - 이성재 / 2005 / InGaN LED에서 칩 구조 및 칩마운트 구조에 따른 광추출효율에 관한 연구 / 한국광학회지 16 (3) : 275 ~ 286
3. [단행본] - E. Fred Schubert / 2006 / Light-Emitting Diodes / CAMBRIDGE : 8 ~ 22
4. [단행본] - 신무환 / 2008 / LED 패키징 기술 입문 / 도서출판 북스힐 : 60 ~ 72
5. [학술지(정기간행물)] - X. A. Cao / 2004 / High-power and reliable operation of vertical light-emitting diodes on bulk GaN / Appl. Phys. Lett 85 (18) : 3971 ~ 3973
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