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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.5
- 수록면
- 522 - 527 (6page)
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본 논문에서는 54 GHz 대역의 위상 고정 루프에서 사용되기 위한 Ring 발진기를 이용한 3 분주 주입 동기 주파수 분주기(Injection-Locked Frequency Divider: ILFD)를 0.13-㎛ Si RFCMOS 공정을 이용하여 설계, 제작한 결과를 보인다. 1.8 V의 공급 전압에 대해서 buffer단을 포함하여 70 ㎽의 전력을 소비하며, 입력 신호가 없을때 0～1.8 V의 varactor 조정 전압 범위에 대하여 18.92～19.31 ㎓에서 자유 발진(free-running oscillation)을 하였다. 0 ㏈m의 입력 전력에 대해서 1.02 ㎓(54.82～55.84 ㎓)의 동기 범위(locking range)를 가지며 varactor 조정(0～1.8 V)을 포함한 동작 범위(operating range)는 약 2.4 ㎓(54.82～57.17 ㎓)를 보였다. 제작된 회로의 크기는 측정 pad를 포함하여 0.42 ㎜×0.6 ㎜이며, pad를 제외한 실제 동작 영역의 크기는 0.099 ㎜×0.056 ㎜이다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 측정 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - J. -S. Rieh / 2008 / Technology and design considerations for millimeter-wave circuits / in 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology : 1352 ~ 1356
2. [학술지(정기간행물)] - S. Jang / 2007 / A wide locking range LC-tank injection locked frequency divider / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 17 (8) : 613 ~ 615
3. [학술지(정기간행물)] - B. Razavi / 2008 / A millimeter-wave CMOS heterodyne receiver with on-chip LO and divider / IEEE Journal of Solid-State Circuits 43 (2)
4. [학술대회논문] - J. Lee / 2003 / A 40-GHz frequency divider in 0.18- CMOS technology / in Digest of Technical Papers in VLSI Circuits
5. [학술대회논문] - J. Lee / 2007 / A 75-GHz PLL in 90-nm CMOS technology / in Digest of Technical Papers in IEEE International Solid-State Circuits Conference : 432 ~ 613
2. [학술지(정기간행물)] - S. Jang / 2007 / A wide locking range LC-tank injection locked frequency divider / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 17 (8) : 613 ~ 615
3. [학술지(정기간행물)] - B. Razavi / 2008 / A millimeter-wave CMOS heterodyne receiver with on-chip LO and divider / IEEE Journal of Solid-State Circuits 43 (2)
4. [학술대회논문] - J. Lee / 2003 / A 40-GHz frequency divider in 0.18- CMOS technology / in Digest of Technical Papers in VLSI Circuits
5. [학술대회논문] - J. Lee / 2007 / A 75-GHz PLL in 90-nm CMOS technology / in Digest of Technical Papers in IEEE International Solid-State Circuits Conference : 432 ~ 613
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