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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김기영 (삼성 LED) 김덕민 (숭실대학교) 김석윤 (숭실대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제60권 제8호
발행연도
2011.8
수록면
1,547 - 1,554 (8page)

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As process parameters scale, interconnect width are reduced rapidly while the current flowing through interconnects does not decrease in a proportional manner. This effect increases current density in metal interconnects which may result in poor reliability. Since RMS(root-mean-square) current limits are used to evaluate self-heating and short-time stress failures caused by high-current pluses, RMS current estimation is very important to guarantee the reliability of semiconductor systems. Hence, it is critical to estimate the current limits through interconnects earlier in semiconductor design stages. The purpose of this paper is to propose a fast, yet accurate RMS current estimation technique that can offer a relatively precise estimate by using closed-form equations. The efficiency and accuracy of the proposed method have been verified through simulations using HSPICE for a vast range of interconnect parameters.

목차

Abstract
1. 서론
2. 단일 연결선에서의 RMS 전류 해석 기술
3. 제안하는 다중 연결선에서의 RMS 전류 해석 기술
4. 실험 및 결과
5. 결론
감사의 글
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