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학술대회자료
저자정보
정진호 (충북대학교) 이현주 (하이닉스 반도체) 김시호 (연세대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2011년 SoC 학술대회
발행연도
2011.4
수록면
1 - 4 (4page)

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MLC NAND Flash Memory에서 Data error를 발생시키는 CCI 현상을 분석하고, 이를 상쇄하여 에러 율을 감소시키기 위한 알고리듬을 제안하였다. Data분석을 통하여 Victim cell주변 8 Cell중에서 CCI영향을 가장 많이 주는 주변 3 Cell을 확인하였다. 이러한 3 Cell model에서 각각의 Data pattern에 따라 발생하는 CCI 현상을 분석하여 알고리듬을 제안하였다. MLC NAND Flash Memory cell로부터 측정된 Vth 분포 데이터에 MatLab을 이용하여 제안된 알고리듬을 적용하는 경우 BER이 LSB에서는 7.5%, MSB에는 11.1%가 개선되었다.
#MLC(Multi Level Cell) #CCI(Cell to Cell Interference) #Victim cell #BER(Bit Error Rate)

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
참고문헌

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