본 논문에서는 P-type Si(100) 기판을 texturing 한 후 POCl3 diffusion법을 이용하여 n+영역을 형성, screen printing 법을 이용하여 상부전극은 Ag, 하부전극은 Al을 형성하였다. 제작된 cel ... 전체 초록 보기
In this paper, P-type Si (100) substrate after texturing POCl3 diffusion method using an n + region forming, screen printing method using the upper electrode Ag, Al was formed on the lower electrode. The upper surface of the cell fabri ... 전체 초록 보기