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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작 절차
Ⅲ. 소자의 특성 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
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n-채널 SOI MOSFET의 I-V 특성연구
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
n채널 SOI MOSFET의 제작과 특성 ( Fabrication and Characterization of the N-Channel SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
Gate-Induced Drain Leakage를 줄인 새로운 구조의 고성능 Elevated Source Drain MOSFET에 관한 분석 ( Analysis of a Novel Elevated Source Drain MOSFET with Reduced Gate-Induced Drain Leakage and High Driving Capability )
전자공학회논문지-SD
2001 .06
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1993 .01
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1991 .11
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대한전자공학회 학술대회
1998 .01
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대한전자공학회 학술대회
1992 .01
SOI MOSFET의 정전류 특성에 대한 후면 Bias의 영향 ( An Effect of Back-Gate Bias on Static Current Characteristics in SOI-MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
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대한전자공학회 학술대회
1993 .07
SOI MOSFET의 단채널 효과를 고려한 문턱전압과 I-V 특성 연구 ( A Study on Threshold Voltage and I-V Characteristics by Considering the Short-Channel Effect of SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
다중 게이트을 이용한 부분 공핍형 SOI MOSFET 특성에 관한 연구
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1997 .07
게이트가 파인 구조를 이용한 SOI MOSFET에서의 항복전압 개선 ( Breakdown Voltage Improvement in SOI MOSFET Using Gate-Recessed Structure )
전자공학회논문지-A
1995 .12
Investigation of Drain Current Transient Behavior by Step Gate Bias in Polysilicon Channel Device
대한전자공학회 학술대회
2017 .01
SOI MOSFET의 Constant Voltage Scaling
대한전자공학회 워크샵
1990 .01
격자온도 불균일 조건에서 SOI n-MOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Properties of SOI n-MOSFET`s under nonisothermal lattice temperature )
전자공학회논문지-A
1996 .03
다결정 실리콘 MOSFET 제작과 전류-전압 특성 ( The Fabrication of Polysilicon MOSFET and The I-V characteristics )
대한전자공학회 학술대회
1987 .11
얇은 박막 SOI(Silicon-On-Insulator) MOSFET에서의 소자 변수 추출 방법
대한전기학회 학술대회 논문집
1992 .07
SOI MOSFET의 Floating Body Effects 감소 방법에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
Self-Aligned된 다결정 실리콘 소오스와 드레인을 갖는 새로운 MOSFET의 제작 ( A New MOSFET Structure with Self-Aligned Polysilicon Source and Drain Electrodes )
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1984 .01
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