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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 및 측정
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
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0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )
한국통신학회논문지
1998 .11
Hot Carrier와 NBTI에 따른 나노 스케일 초박막 SOI pMOSFET 소자의 신뢰도에 관한 연구
한국통신학회논문지
2009 .12
δ 도핑된 Si0.8Ge0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( I ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( I ) )
전자공학회논문지-A
1993 .08
Bulk-Si와 PD-SOI에 형성된 SiGe p-MOSFET의 전기적 특성의 비교
전기전자재료학회논문지
2007 .01
양 방향 Hot Carrier 스트레스에 의한 PMOSFET 노쇠화 ( PMOSFET Degradation due to Bidirectional Hot Carrier Stress )
전자공학회논문지-A
1995 .06
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of PMOSFET Under AC Stress )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1993 .09
직류 및 교류스트레스 조건에서 발생된 Hot-Carrier가 PMOSFET의 누설전류에 미치는 영향 ( Hot-Carrier Induced GIDL Characteristics of PMOSFETs under DC and Dynamic Stress )
전자공학회논문지-A
1993 .12
Deep Submicrometer PMOSFET의 Hot Carrier 현상과 소자 노쇠화 ( Hot Carrier Effects and Device Degradation in Deep Submicrometer PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1996 .04
PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
전자공학회논문지-SD
2004 .07
Hot-Carrier 스트레스에 의하여 발생된 계면상태가 PMOSFET의 밴드간 터널링 전류에 미치는 영향 ( The Effect of Interface State ( Nit ) Generated by Hot-Carrier Stress on GIDL Current of PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
APPLICATIONS OF SOI DEVICE TECHNOLOGY
한국표면공학회지
1996 .10
Hot Electron Induced Channel Shortening Length Model in PMOSFET’s
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
Gate-All-Around SOI MOSFET의 소자열화
전자공학회논문지-SD
2003 .10
SOI 소자를 위한 공정 기초연구
대한전자공학회 워크샵
1990 .01
δ 도핑된 Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFET 소자 특성 조사 ( Characterization of δ- Doped Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFETs )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
고성능 PMOSFET을 위한 Ni-silicide와 p+ Source/drain 사이의 Barrier Height 감소
전기전자재료학회논문지
2009 .01
SC-PMOSFET 의 수평 전계 모델과 노쇠화 메커니즘 ( Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of Surface-Channel PMOSFET`s )
전자공학회논문지-A
1994 .01
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