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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 및 결과 고찰
Ⅲ. 결론
Ⅳ. 참고문헌
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MOSFET 기판 전류 모델링 ( Substrate-current Modeling in MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
MOSFET 기판 전류 모델링
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
Dynamic characteristics for Double Gate MOSFET
한국정보통신학회논문지
2005 .12
해석학적 전류-전압모델을 이용한 이중게이트 MOSFET의 전송특성분석
한국정보통신학회논문지
2006 .09
게이트전압에 따른 나노구조 이중게이트 MOSFET의 터널링전류 변화
한국정보통신학회논문지
2007 .05
10 nm이하 비대칭 이중게이트 MOSFET의 하단 게이트 전압에 따른 터널링 전류 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .01
Short-Channel MOSFET의 전류-전압 특성 모델에 관한 연구 ( A Study on the Model of Current-Voltage Characteristics for Short-Channel MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
나노구조 이중게이트 MOSFET에서 터널링이 단채널효과에 미치는 영향
한국정보통신학회논문지
2006 .03
초고속 동작을 위한 더블 게이트 MOSFET 특성 분석
한국정보통신학회논문지
2003 .04
전력 MOSFET
전기의세계
1985 .05
전력 MOSFET용 멀티 게이트 구동 회로 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2017 .07
Si1-xGex p-MOSFET 단채널효과의 해석학적 모델
대한전자공학회 학술대회
1995 .12
전류 제한 능력을 갖는 전력 MOSFET ( A Power MOSFET with Self Current Limiting Capability )
전자공학회논문지-A
1995 .10
폴리게이트의 양자 효과에 따른 Double-Gate MOSFET의 단채널 효과 분석
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
단채널효과를 극복할 수 있는 새로운 T자 형태의 게이트를 갖는 Grooved Gate MOSFET 소자구조에 관한 연구
전기학회논문지
1997 .11
이중게이트 MOSFET에서 채널도핑농도에 따른 문턱전압이하 특성 분석
한국정보통신학회논문지
2008 .10
1μm 이하의 채널 길이를 가지는 P-MOSFET의 특성 개선에 관한 연구 ( Study on the Improvement of Sub-Micron Channel P-MOSFET )
전자공학회논문지
1987 .05
p+ 다결정 실리콘 게이트를 갖는 P채널 MOSFET의 특성 ( Characterization of P-Channel MOSFET with p+ Polysilicon Gates )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
이중 확산 MOSFET의 C-V 특성
대한전자공학회 학술대회
1986 .12
이중 확산 MOSFET의 C-V특성 ( C-V Characteristics of Double diffused MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1986 .01
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