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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.11
- 수록면
- 1 - 8 (8page)
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트랜지스터의 최대 출력 성능을 제한하는 요소 중 가장 중요한 하나가 항복 전압이다. GaAs 기판 위에 점진적으로 성장된 메타몰픽(Metamorphic) InAlAs/InGaAs HEMTs(MHEMT)는 InP 기판 위에 성정한 HEMT에 비해 비용 측면에서 특히 장점을 가지고 있다. 그러나 GaAs 나 InP 기반의 HEMT 소자들은 모두 우수한 마이크로파 및 밀리미터파 주파수 특성 및 이에 따른 저잡음 특성에 비해 낮은 항복전압으로 인해 파워 소자로서는 중간출력 정도의 소자로서만 사용 가능하다. 이러한 HEMT 소자의 항복 전압을 개선하기 위하여 본 논문에서는 InAlAs/InxGa1-xAs/GaAs MHEMT 소자들의 항복 특성을 시뮬레이션하고 분석하였다. 2차원 소자 시뮬레이터의 hydrodynamic 전송 모델을 사용하여 In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As 이종접합 구조를 갖는 제작된 0.1-㎛ Γ-gate MHEMT 소자에 대하여 파라미터 보정 작업을 수행한 후 항복 특성에 영향을 주는 요소들을 분석하였다. 깊은 준위 트랩 효과를 고려한 충돌 이온화 및 게이트 전계를 분석하였고, 인듐(In) 몰 성분 변화에 따른 InxGa1-xAs 채널에서의 항복 특성 예측을 위한 충돌 이온화 계수를 경험적으로 제안 적용하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Hydrodynamic HEMT 소자 시뮬레이션
Ⅲ. 항복 특성 시뮬레이션 결과 및 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌
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1. [학술지(정기간행물)] - 손명식 / 2011 / GaAs 기반 In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As 이종접합 구조를 갖는 MHEMT 소자의 DC 특성에 대한 calibration 연구 / 반도체디스플레이기술학회지 10 (1) : 63 ~ 73
2. [기타자료] - / / ISE-DESSIS manual,Ver. 9.5 : 12 ~ 288
3. [학술대회논문] - C.S. Whelan / 2000 / GaAs metamorphic HEMT (MHEMT): an attractive alternative to InP HEMTs for high performance low noise and power applications / Proceedings of 2000 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials : 337 ~ 340
4. [학술지(정기간행물)] - T. Suemitsu / 1998 / An Analysis of the Kink Phenomena in InAlAs/InGaAs HEMT's Using Two-Dimensional Device Simulation / IEEE Trans. Electron Devices 45 (12) : 2390 ~ 2399
5. [학술지(정기간행물)] - Mark H. Somerville / 2000 / A Physical Model for the Kink Effect in InAlAs/InGaAs HEMT's / IEEE Tansactions on Electron Devices 47 (5) : 922 ~ 929
2. [기타자료] - / / ISE-DESSIS manual,Ver. 9.5 : 12 ~ 288
3. [학술대회논문] - C.S. Whelan / 2000 / GaAs metamorphic HEMT (MHEMT): an attractive alternative to InP HEMTs for high performance low noise and power applications / Proceedings of 2000 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials : 337 ~ 340
4. [학술지(정기간행물)] - T. Suemitsu / 1998 / An Analysis of the Kink Phenomena in InAlAs/InGaAs HEMT's Using Two-Dimensional Device Simulation / IEEE Trans. Electron Devices 45 (12) : 2390 ~ 2399
5. [학술지(정기간행물)] - Mark H. Somerville / 2000 / A Physical Model for the Kink Effect in InAlAs/InGaAs HEMT's / IEEE Tansactions on Electron Devices 47 (5) : 922 ~ 929
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