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논문 기본 정보
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- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC : 2008
- 발행연도
- 2008.7
- 수록면
- 885 - 888 (4page)
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In this paper, miniaturized active baluns employing active device were proposed. The miniaturized active baluns were fabricated employing InGaP/GaAs HBT (heterojunction bipolar transistor) on GaAs substrate for MMIC applications, and especially a composite structure employing common-emitter (CE) and commoncollector (CC) circuits was used for 90° power coupling. The size of the active balun for power coupling was about 1.9 % of conventional passive branch-line coupler. The active baluns for power coupling showed good RF performances comparable to passive branch-line couplers.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Design of active balun employing active device
3. Measurement of active balun employing InGaP/GaAs HBT
4. Conclusion
Acknowledgment
References
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