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Yong Woo Jeon (Kookmin University) Inseok Hur (Kookmin University) Yongsik Kim (Kookmin University) Minkyung Bae (Kookmin University) Hyun Kwang Jung (Kookmin University) Dongsik Kong (Kookmin University) Woojoon Kim (Kookmin University) Jaehyeong Kim (Kookmin University) Jaeman Jang (Kookmin University) Dong Myong Kim (Kookmin University) Dae Hwan Kim (Kookmin University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.11 No.3
발행연도
2011.9
수록면
153 - 161 (9page)

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In this work, we report the physics-based SPICE model of amorphous oxide semiconductor (AOS) thin-film transistors (TFTs) and demonstrate the SPICE simulation of amorphous InGaZnO (aIGZO) TFT inverter by using Verilog-A. As key physical parameter, subgap density-of-states (DOS) is extracted and used for calculating the electric potential, carrier density, and mobility along the depth direction of active thin-film. It is confirmed that the proposed DOS-based SPICE model can successfully reproduce the voltage transfer characteristic of a-IGZO inverter as well as the measured I-V characteristics of a-IGZO TFTs within the average error of 6% at V/)/)=20 V.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DOS-BASED MODEL
III. SPICE IMPLEMENTATION
IV. A-IGZO TFT INVERTER EXPERIMENTS AND RESULTS
V. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

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