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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.11 No.3
- 발행연도
- 2011.9
- 수록면
- 190 - 197 (8page)
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This paper presents a 144 GHz divide-by-2 injection locked frequency divider (ILFD) with inductive feedback developed in a commercial 90-nm Si RFCMOS technology. It was demonstrated that division-by-2 operation is achieved with input power down to -12 dBm, with measured locking range of 0.96 GHz (144.18 - 145.14 GHz) at input power of -3 dBm. To the authors" best knowledge, this is the highest operation frequency for ILFD based on a 90nm CMOS technology. From supply voltage of 1.8 V, the circuit draws 5.7 mA including both core and buffer. The fabricated chip occupies 0.54 mm x 0.69 mm including the DC and RF pads.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. TYPES OF FREQUENCY DIVIDERS
III. CIRCUIT DESIGN
IV. MEASUREMENT RESULTS
V. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
참고문헌 (39)
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1. [학술지(정기간행물)] - E. Laskin / 2008 / 165 GHz Transceiver in SiGe Technology / IEEE Journal of Solid-State Circuits 43 : 1087 ~ 1100
2. [학술대회논문] - K. Schmalz / 2010 / 122 GHz ISM-band transceiver concept and silicon ICs for low-cost receiver in SiGe BiCMOS / in IEEE MTT-S International Microwave Symposium : 1332 ~ 1335
3. [학술대회논문] - U. R. Pfeiffer / 2010 / A SiGe quadrature transmitter and receiver chipset for emerging high-frequency applications at 160 GHz / in IEEE International Solid-State Circuits Conference : 416 ~ 417
4. [학술대회논문] - S. Shahramian / 2010 / A D-band PLL covering the 81-82 GHz, 86-92 GHz and 162-164 GHz bands / in IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium : 53 ~ 56
5. [학술대회논문] - J. Lee / 2007 / A 75-GHz PLL in 90-nm CMOS Technology / in IEEE International Solid-State Circuits Conference : 432 ~ 433
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5. [학술대회논문] - J. Lee / 2007 / A 75-GHz PLL in 90-nm CMOS Technology / in IEEE International Solid-State Circuits Conference : 432 ~ 433
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