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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
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GaN에 기반한 청색, 녹색, UV파장 대역의 LED가 개발되고 있는데, 이 청색 LED를 통한 백색 LED는 교통신호, 옥외 디스플레이, LCD 후면광, 조명 등의 응용 제품에 사용되고 있다. 여기서 LED의 성능을 향상하기 위하여 출력과 소자의 신뢰성을 높이고, 순방향 입력전압을 낮추어야 LED 칩(chip)의 고효율화가 이루어지는 데, 이를 해결하기 위하여 우수한 에피층, 표면요철, 패턴이 있는 사파이어 기판, 칩 설계의 최적화, 공정의 개선 등의 기술이 우수해야 한다. 본 연구에서는 측면 에칭 기술을 이용하여 MOCVD에 의한 Al2O3 에피 웨이퍼 위에 GaN-기반 백색 LED 칩을 제작하여 그 성능의 개선 여부를 조사하였다. LED 칩의 성능을 개선하기 위한 최적화 설계와 측면 에칭(side etching) 기술을 적용하여 LED 칩 성능의 향상을 확인할 수 있었으며, 기존의 것보다 3.9%의 출력 향상을 얻었고, 출력전력은 광 출력 7.02cd, 순방향 입력전압 3.218V의 값을 얻었다. 현재의 LCD 후면광원으로 사용되고 있는 LED 칩의 출력에 비하여 성능이 개선되었으며, 의료기기 및 LCD LED TV의 후면광원으로 사용할 수 있을 것으로 기대된다.
목차
요약
Abstract
I. 서론
II. LED의 구조 및 설계
III. LED 칩의 제작 및 성능평가
IV. 결론
참고문헌
참고문헌 (1)
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