GaN Doherty 증폭기의 메모리 효과 보상을 통한 성능개선

이석희; 조갑제; 방성일

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이석희 (단국대학교) 조갑제 (단국대학교) 방성일 (단국대학교)

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-TC 電子工學會論文誌第49卷 TC編第1號

발행연도: 2012.1

수록면: 47 - 52 (6page)

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전력증폭기는 기지국의 효율을 결정하는 중요한 요소이며, 효율성 제고를 위하여 GaN증폭소자를 사용한 Doherty 전력증폭기 구조에 대한 연구가 지속되고 있다. Doherty 전력증폭기의 메모리 효과는 선형성과 효율특성과 연관된 동작특성에 큰 영향을 미친다. 본 논문에서는 GaN Doherty 전력증폭기의 전열적인 비선형성 모델링과 전열적 메모리 효과가 GaN Doherty 증폭기의 왜곡형성과 보상에 대하여 연구하였다. GaN Doherty 증폭기의 전열적 메모리 특성을 모델링하기 위하여 순시적으로 소모되는 전력과 순시 접합온도의 정확한 관계식을 정립하였다. 제안된 모델의 파라미터로부터 GaN Doherty 전력증폭기의 비선형왜곡과 전열적 메모리 효과를 보상할 수 있는 전치왜곡선형화기 모델을 설계하였다. 제안된 모델의 성능평가는 37㏈m GaN Doherty 전력증폭기와 ADS Tool을 사용하여 왜곡특성 성능개선정도를 검증하였다. 선형화된 GaN 전력증폭기의 2-tone 출력스펙트럼에서 약 16 ㏈의 왜곡개선효과를 보였다.

#Behavior model #distortion #memory effect #GaN #Doherty amplifier

참고문헌 (8)

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1. [학술대회논문] - J.S .Kenny / 2001 / The impact of memory effects on predistortion linearization of RF power amplifier / 8th Int Microwave and Optical Technology Symp. : 189 ~ 193

2. [학술지(정기간행물)] - S. Boumaiza / 2002 / Realistic power-amplifiers characterization with application to baseband digital predistortion for 3G base stations / IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 50 : 3016 ~ 3021

3. [학술지(정기간행물)] - 손길영 / 2005 / 효율개선을 위한 Gate 제어 Hybrid Doherty 증폭기 구현 / 전자공학회논문지 - TC 42 (3) : 217 ~ 224

4. [학술지(정기간행물)] - J. H. K. Vuolevi / 2001 / Measurement technique for characterizing memory effects in RF power amplifiers / IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 49 : 1383 ~ 1389

5. [학술지(정기간행물)] - W. Bosch / 1989 / Measurement and simulation of memory effects in predistortion linearizers / IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 37 : 1885 ~ 1890

이 논문의 저자 정보

이석희

소속기관 인천대학교

주요연구분야 공학 > 기계공학 > 기계공학 일반 TOP 5% 공학 > 전기전자공학 > 전자공학

논문수 300 이용수 18,069

조갑제

소속기관 단국대학교

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전자공학

논문수 5 이용수 216

방성일

소속기관 단국대학교

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전자공학 공학 > 전기전자공학 > 정보통신공학

논문수 106 이용수 2,721

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