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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
최훈 (전북대학교) 이동건 (전북대학교) 정항근 (전북대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SC 電子工學會論文誌 第49卷 SC編 第1號
발행연도
2012.1
수록면
57 - 63 (7page)

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본 논문에서는 크로스 레귤레이션을 방지하기 위한 TM 방식 SIDO DC-DC 벅 컨버터의 스위치 트랜지스터 크기 계산 기법을 제안하였다. TM 방식 SIDO DC-DC 벅 컨버터는 DCM 동작으로 인한 인덕터 전류의 높은 첨두치와 추가된 스위치의 저항성분으로 인한 전압강하 때문에 크로스 레귤레이션이 일어날 수 있다. 이 문제점을 해결하기 위해 스위치 트랜지스터의 저항성분을 고려하여 스위치 트랜지스터의 크기를 계산하였고, 계산을 간단히 하기 위해 시간의 함수인 인덕터의 전류를 평균 부하 전류로 대체하였다. 제안한 기법을 이용하여 2.8 V와 1.8 V의 독립된 두 출력을 내는 카메라 모듈용 SIDO DC-DC 벅컨버터를 설계하였고, 0.35 ㎛ CMOS 공정을 사용하여 제작하였다. 제작된 컨버터는 스위칭 주파수 1 ㎒와 부하전류 200 ㎃에서 80.7%의 효율을 보였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 시뮬레이션 및 칩 테스트
Ⅳ. 결론
Acknowledgement
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