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저자정보
Hung-Ju Wei (National Chiao Tung University) Chinchun Meng (National Chiao Tung University) Yi-Chen Lin (National Chiao Tung University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2011 Conference
발행연도
2011.11
수록면
108 - 111 (4page)

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This paper analyzes the isolation mechanisms between two types of sub-harmonic Gilbert mixers in detail. The proposed double-compensated structure without additional output balun has inherent LO and 2LO cancellations at each port, which can greatly improve 2LO-to-RF leakage for the down or up converters. The experimental results reveal that the proposed double-compensated structure applied in a 2-m GaInP/GaAs HBT sub-harmonic down converter achieves a 2LO-to-RF isolation of 80 dB, and its fLO/2fLO leakage is insensitivity to LO power when compared with that of a conventional single-stacked cell.
#Double-compensated #GaInP/GaAs HBT #Gilbert Mixer #Isolation #SHM #Stacked Cell #Sub-harmonic Mixer.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. CIRCUIT DESIGN
III. MEASUREMENT RESULTS
IV. CONCLUSION
ACKNOWLEDGEMENT
REFERENCES

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