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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.11
- 수록면
- 93 - 96 (4page)
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This paper proposes a method for analysis of spectral characteristics on multilayer interconnection. With CMOS technology"s downscaling, interconnect layers are multi-stratified since the number of metal levels has increased. However, this multilayer interconnection affects sensitivity???of CMOS image sensors. To evaluate the effect on the multilayer interconnect of standard CMOS process technologies, we have developed a method for calculating transferred light intensity through the multilayer interconnect. We show the calculation results in case of standard CMOS 65nm, 90nm, 0.18μ?m, 0.35μ?m, 0.6μ?m, and 1.2μ?m process technologies.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PRINCIPLE OF LIGHT TRANSFER MODELING ON MULTILAYER
Ⅲ. EVALUATION OF MULTILAYER INTER CONNECT
Ⅳ. VERIFICATION OF THE PROPOSED TRANSFER MATRIX
Ⅴ. CONCLUSION
REFERENCES
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