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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.11
- 수록면
- 164 - 167 (4page)
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This paper describes the comparisons of area scaling trend of various SRAM margin-assist solutions for V<SUB>T</SUB> variability issues, which are based on efforts by not only the cell topology changes from 6T to 8T and 10T but also incorporating multiple voltages supply for cell terminal biasing and timing sequence controls of read and write. The various solutions are analyzed in light of an impact of ever increasing V<SUB>T</SUB> variation (σ<SUB>VT</SUB>) on the required area overhead for each design solution, resulting in slowdown in the scaling pace. It has been found that 6T will be allowed long reign even in 15nm, if σ<SUB>VT</SUB> increasing pace is optimistically assumed, which σ<SUB>VT</SUB> can be suppressed to <70mV even at 15nm, thanks to EOT scaling for LSTP process??y??otherwise 10T and 8T with read modify write will be needed.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. LIMIT OF DESIGN SOLUTIONS WITH INCREASING σVT
Ⅲ. ?EXTENTION OF LIMIT OF DESIGN SOLUTIONS
Ⅳ. AREA SCALING TREND COMPARISONS
Ⅴ. CONCLUSION
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES
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