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저자정보
김진국 (충북대학교) 박제준 (충남대학교) 홍지화 (충북대학교) 김남수 (충북대학교) 강기환 (한국에너지기술연구원) 유권종 (한국에너지기술연구원) 송희은 (한국에너지기술연구원)
저널정보
한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2012년도 춘계학술발표대회 논문집
발행연도
2012.3
수록면
243 - 247 (5page)

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The paper focuses on an anti-reflection (AR) coating deposited by PECVD in silicon solar cell fabrication. AR coating is effective to reduce the reflection of the light on the silicon wafer surface and then increase substantially the solar cell conversion efficiency. In this work, we carried out experiments to optimize double AR coating layer with silicon nitride and silicon oxide for the silicon solar cells. The p-type mono crystalline silicon wafers with 156×156mm<SUP>2</SUP> area, 0.5-3 Ω?cm resistivity, and 200㎛ thickness were used. All wafers were textured in KOH solution, doped with POCl<SUB>3</SUB> and removed PSG before ARC process. The optimized thickness of each ARC layer was calculated by theoretical equation. For the double layer of AR coating, silicon nitride layer was deposited first using SiH<SUB>4</SUB> and NH<SUB>3</SUB>, and then silicon oxide using SiH<SUB>4</SUB> and N<SUB>2</SUB>O. As a result, reflectance of SiO<SUB>2</SUB>/SiN<SUB>x</SUB> layer was lower than single SiN<SUB>x</SUB> and then it resulted in increase of short-circuit current and conversion efficiency. It indicates that the double AR coating layer is necessary to obtain the high efficiency solar cell with PECVD already used in commercial line.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

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