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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
In-Keun Song (Woosong University)
저널정보
한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제10권 제7호
발행연도
2012.7
수록면
161 - 169 (9page)

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IGBT(고전압 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)는 20KHz 범위의 주파수에서 MOSFET(금속 산화막 반도체 트랜지스터)의 빠른 스위칭 능력과 저 전력 손실 그리고 BJT(바이폴라 접합 트랜지스터)의 고 전류 구동능력의 장점을 결합시켜서 만든 소자이다. IGBT는 MOS 게이트를 사용하여 구동하기 때문에 전력용 바이폴라 트랜지스터와 비교할 때 구동회로가 간단하고 전력용량도 크기 때문에 전력 시스템 분야에서 바이폴라 트랜지스터를 대체하는 소자로서 널리 이용되고 있다. 본 논문에서는 IGBT의 기본 모델과 동작을 살펴보았으며 IGBT의 전기적 특성과 IGBT 설계 시 고려사항들을 기술하였다. IGBT 설계 시 고려한 파라메터를 확인하기 위해서 IR사의 IRG4PH50S를 이용하여 강압 컨버터의 입/출력 특성을 SPICE로 시뮬레이션하고 IGBT를 기반으로 한 시험회로를 구성하여 시험조건에 따라 항복전압, 게이트 문턱전압, 포화전압 그리고 콜렉터 전류를 측정하였다. 측정치는 기준 값을 만족하고 있음을 확인하였다.

목차

Abstract
요약
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. The Structure of IGBT and Operation
Ⅲ. Electrical Characteristics
Ⅳ. Design Considerations of IGBT
Ⅴ. Test Circuits and Results
References

참고문헌 (13)

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