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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.8
- 수록면
- 10 - 15 (6page)
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본 논문에서는 파워게이팅과 전압레벨조절을 이용하여 누설전류를 줄인 SRAM을 제안하였다. 제안된 파워게이팅 기법은 데이터를 저장하지 않은 메모리 셀 블록의 전력공급을 차단함으로써 누설전류를 크게 감소시키고, 제안된 전압레벨조절 기법은 데이터가 저장된 메모리 셀 블록의 접지전압을 올림으로써 누설전류를 줄여준다. 4K×8비트 SRAM 칩은 0.13㎛ CMOS 공정으로 제작되었고 VDD=1.2V로 동작하였다. 메모리 사용률이 0∼100%에 대하여, 동작 모드에서의 누설전류는 1.23∼9.87㎼이고 대기 모드에서 누설전류는 1.23∼3.01㎼였다. 대기 모드 동안에, 제안된 SRAM의 누설전류는 기존의 SRAM의 12.5∼30.5%로 감소하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 제안된 SRAM 구조와 동작
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
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