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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.10
- 수록면
- 1,019 - 1,023 (5page)
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본 연구에서는 새로운 알루미늄 유도 결정화 공정을 제안하였다. 알루미늄 박막에 직접 3 A 의 정전류를 인가하여 1 cm × 1 cm 넓이의 두께 200 nm 비정질 실리콘 박막을 수십 초 내에 결정화하는 방법이다. 결정화된 다결정 실리콘 박막은 520 cm<SUP>-1</SUP> 에서의 라만 분광 피크를 통해 확인할 수 있었다. 공정후, 알루미늄이 식각된 다결정 실리콘 박막은 다공성 구조임을 SEM 을 통하여 확인할 수 있었다. 또한, 이차이온질량분석(secondary ion mass spectroscopy)에서 알루미늄 농도가 10<SUP>21</SUP> cm<SUP>-3</SUP> 으로 헤비 도핑된 것을 확인 할 수 있었으며, 실시간으로 측정된 열화상 카메라의 결과를 통해 결정화는 820 K 근처에서 일어나는 것을 확인할 수 있었다.
목차
Abstract
초록
1. 서론
2. 실험 및 결과분석
3. 결론
참고문헌
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - Spinella, C. / 1998 / Crystal Grain Nucleation in Amorphous Silicon / Journal of applied physics 84 : 5383 ~ 5414
2. [학술지(정기간행물)] - Ishikawa, Y. / 2004 / Polycrystalline Silicon Thin Film for Solar Cells Utilizing Aluminum Induced Crystallization Method / Japanese journal of applied physics 43 : 877 ~ 881
3. [학술지(정기간행물)] - Lee, M. / 2001 / Ultra-Large Lateral Grain Growth by Double Laser Recrystallization of a-Si Films / Applied physics A 73 : 317 ~ 322
4. [학술지(정기간행물)] - Kim, D.-H. / 2010 / In-Situ Observation of Phase Transformation in Amorphous Silicon During Joule- Heating Induced Crystallization Process / Thin Solid Films 519 : 5516 ~ 5522
5. [학술지(정기간행물)] - Van Gestel, D. / 2011 / Metal Induced Crystallization of Amorphous Siliconfor Photovoltaic Solar Cells / Physics Procedia 11 : 196 ~ 199
2. [학술지(정기간행물)] - Ishikawa, Y. / 2004 / Polycrystalline Silicon Thin Film for Solar Cells Utilizing Aluminum Induced Crystallization Method / Japanese journal of applied physics 43 : 877 ~ 881
3. [학술지(정기간행물)] - Lee, M. / 2001 / Ultra-Large Lateral Grain Growth by Double Laser Recrystallization of a-Si Films / Applied physics A 73 : 317 ~ 322
4. [학술지(정기간행물)] - Kim, D.-H. / 2010 / In-Situ Observation of Phase Transformation in Amorphous Silicon During Joule- Heating Induced Crystallization Process / Thin Solid Films 519 : 5516 ~ 5522
5. [학술지(정기간행물)] - Van Gestel, D. / 2011 / Metal Induced Crystallization of Amorphous Siliconfor Photovoltaic Solar Cells / Physics Procedia 11 : 196 ~ 199
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