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논문 기본 정보

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학술저널
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한규민 (충남대학교) 최성진 (한국에너지기술연구원) 이희덕 (충남대학교) 송희은 (한국에너지기술연구원)
저널정보
한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 논문집 한국태양에너지학회 논문집 제32권 제5호
발행연도
2012.10
수록면
102 - 107 (6page)

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Halogen lamp was applied to fabricate the selective emitter crystalline silicon solar cell. In selective emitter structure, the recombination of minority carriers is reduced with heavily doped emitter under metal grid, consequently improving the conversion efficiency. Laser selective emitter process which is recently used the most generally induces the damage on the silicon surface. However the lamp has enough heat to form heavily doped emitter layer by diffusing phosphorus from PSG without surface damage. In this work, we have studied to find the design and the suitable condition for halogen lamp such as power, time, temperature and figured out the possibility to fabricate the selective emitter silicon solar cell by lamp heating. The sheet resistance with 100Ω/□ was lower to 50Ω/□ after halogen lamp treatment. Heat transfer to lightly doped emitter region was blocked by using the shadow mask.

목차

Abstract
1. 서론
2. 장치 구성
3. 실험 방법
4. 실험결과 및 고찰
5. 결론
References

참고문헌 (8)

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