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본 논문에서는 SPICE 시뮬레이션을 위한 고전압 insulated gate bipolar transistor(IGBT)의 개선된 모델을 제안하였다. IGBT를 부속 소자인 MOSFET과 BJT의 조합으로 구성하고, 각 소자의 각종 파라미터 값을 조절하여 기본적인 전류-전압 특성과 온도변화에 따른 출력특성의 변화 등을 재현하였다. 그리고 비선형적인 리버스 트랜스퍼 커패시턴스 등의 기생 커패시턴스의 전압에 따른 변화를 높은 정확도로 재현하기 위해, 복수의 접합 다이오드, 이상적인 전압 및 전류 증폭기, 전압제어 저항, 저항과 커패시터 수동소자 등을 추가하였다. 본 회로모델을 1200V급의 트렌치 게이트 IGBT의 모델링에 이용하였으며, 실측자료와 비교하여 통해 모델의 정확도를 검증하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
감사의 글
참고문헌
저자소개
참고문헌 (4)
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1. [단행본] - B. Jayant Baliga / 1996 / Power semiconductor devices / PWS : 426 ~ 498
2. [학술대회논문] - Franc Mihalic / 1992 / IGBT SPICE macro model / International Conference on Power Electronics and Motion Control : 240 ~ 245
3. [학술대회논문] - Loïc Michel / 2009 / Development of an efficient IGBT simulation model / Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering : 252 ~ 256
4. [학술대회논문] - A. F. Petrie / 1995 / A Spice Model for IGBTs / Applied Power Electronics Conference : 1 ~ 6
2. [학술대회논문] - Franc Mihalic / 1992 / IGBT SPICE macro model / International Conference on Power Electronics and Motion Control : 240 ~ 245
3. [학술대회논문] - Loïc Michel / 2009 / Development of an efficient IGBT simulation model / Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering : 252 ~ 256
4. [학술대회논문] - A. F. Petrie / 1995 / A Spice Model for IGBTs / Applied Power Electronics Conference : 1 ~ 6
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