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김상일 (삼성탈레스) 임병옥 (삼성탈레스) 최길웅 (삼성탈레스) 이복형 (삼성탈레스) 김형주 (삼성탈레스) 김륜휘 (경북대학교) 임기식 (경북대학교) 이정희 (경북대학교) 이정수 (국방과학연구소) 이종민 (국방과학연구소)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第24卷 第2號
발행연도
2013.2
수록면
128 - 135 (8page)

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본 논문에서는 Si가 도핑된 Modulation-doped AlGaN/GaN 이종 접합 구조를 가지는 전력증폭기용 MISHFET 소자를 제작하였다. 제작된 GaN TR 소자는 6H-SiC(0001)의 Substrate 위에 성장시켰으며, 180 nm의 gate length를 가진다. 제작된 소자를 측정한 결과, 837 ㎃/㎜의 최대 드레인 전류 특성, 177 mS/㎜의 gm(Tranconductance)을 가지며, fT는 45.6 ㎓, f㎃X는 46.5 ㎓로 9.3 ㎓에서 1.54 W/㎜의 전력 밀도와 40.24 %의 PAE를 가지는 것으로 확인되었다.
#GaN #MISHFET #MOCVD #Power Amplifier #SiC

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Device Fabrication and Results
Ⅲ. Future Work and Conclusion
참고문헌

참고문헌 (11)

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1. [학술지(정기간행물)] - 문재경 / 2012 / GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향 / 전자통신동향 분석 27 (1) : 74 ~ 85 dbpia 2. [학술지(정기간행물)] - V. Kumar / 2002 / AlGaN/GaN HEMTs on SiC with fT of over 120 GHz / IEEE Electron Device Letters 23 (8) google schola 3. [학술지(정기간행물)] - 문재경 / 2012 / 차세대 고효율/고출력 반도체: GaN 전 력소자 연구개발 현황 / 전자통신동향분석 27 (4) : 96 ~ 106 dbpia 4. [학술지(정기간행물)] - Haifeng Sun / 2010 / 100-nm-Gate(Al, In)N/GaN HEMTs Grown on SiC with fT=144 GHz / IEEE Electron Device Letters 31 (4) google schola 5. [학술지(정기간행물)] - P. Waltereit / 1999 / Influence of AlN nucleation layers on growth mode and strain relief of GaN grown on 6H-SiC(0001) / Appl. Phys. Lett 74 : 3660 ~ 3662 google schola

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