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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김인섭 (한국산업기술대학교) 강찬형 (한국산업기술대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제46권 제1호
발행연도
2013.2
수록면
29 - 35 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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The effect of DC bias on the growth of nanocrystalline diamond films on silicon substrate by microwave plasma chemical vapor deposition has been studied varying the substrate temperature (400, 500, 600, and 700℃), deposition time (0.5, 1, and 2h), and bias voltage (?50, ?100, ?150, and ?200 V) at the microwave power of 1.2 ㎾, working pressure of 110 torr, and gas ratio of Ar/1%CH₄. In the case of low negative bias voltages (?50 and ?100 V), the diamond particles were observed to grow to thin film slower than the case without bias. Applying the moderate DC bias is believed to induce the bombardment of energetic carbon and argon ions on the substrate to result in etching the surfaces of growing diamond particles or film. In the case of higher negative voltages (?150 and ?200 V), the growth rate of diamond film increased with the increasing DC bias. Applying the higher DC bias increased the number of nucleation sites, and, subsequently, enhanced the film growth rate. Under the ?150 V bias, the height (h) of diamond films exhibited an h = k√t relationship with deposition time (t), where the growth rate constant (k) showed an Arrhenius relationship with the activation energy of 7.19 ㎉/㏖. The rate determining step is believed to be the surface diffusion of activated carbon species, but the more subtle theoretical treatment is required for the more precise interpretation.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

참고문헌 (15)

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