∼ 400nm 급 광대역 GaAs / AlAs oxide DBR ( ∼ 400nm-Wide Broad Band GaAs / AlAs oxide DBR )

안정착 ,  손낙진 ,  곽규섭 외 2명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1996 .01

~400nm급 광대역 GaAs / AlAs oxide DBR ( ~ 400nm-Wide Broad Band GaAs / AlAs Oxide DBR )

안정착 ,  손낙진 ,  곽규섭 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )

강태원 ,  이재진 ,  김영함 외 2명

전자공학회논문지

1986 .05

AlGaAs계 DBR에서의 Al 조성이 VCSEL의 표면에 미치는 영향

진정근 ,  강민구 ,  강필규 외 6명

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

Sealing AlAs Against wet Oxidation and its use in VCSEL Fabrication

임대호 ,  김종희 ,  김기수 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

RCLED 및 VCSEL의 산화구경 제작을 위한 AlAs/GaAs 디지털 합금층의 선택적 산화공정

정지훈 ,  유재수 ,  송진동 외 1명

한국통신학회 기타 간행물

2001 .10

Si 기판위에 MBE로 성장된 GaAs 박막의 초기성장에 관한 연구

남산 ,  김상기 ,  조경익 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE )

강태원 ,  이재진 ,  홍치유 외 2명

전자공학회논문지

1986 .03

Asymmetric AlAs / GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Heterostructure ; MBE Growth , Fabrication and Characteristics

노동완 ,  김경옥 ,  백승원 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

MBE 방법에 의한 Si ( 001 ) 기판 위에 Single Domain GaAs 성장 ( The Growth of Single-Domain GaAs on Si substrates by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

광펌핑에 의한 GaAs 3 - 양자우물 VCSEL 상온 - 연속 발진 ( Room Temperature Continuous Operation of GaAs Three - Quantum - Well VCSEL by Optical Pumping )

이번 ,  신재헌 ,  백종협 외 3명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

광펌핑에 의한 GaAs 3-양자우물 VCSEL상온 연속 발진 ( Room Temperature Continuous Operation of GaAs Three-Quantum-Well VCSEL by Optical Pumping )

이번 ,  신재헌 ,  백종협 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

GaAs 모재 위에 성장시킨 AlAs/GaAs 초격자의 간단한 구조 분석과 비이상적인 구조 특성

김창수 ,  노삼규 ,  이주인 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

AlAs / GaAs 공진 투과 소자 제작과 특성 연구 ( Fabrication of AlAs / GaAs Resonant Tunneling Device and Study of its Characteristics )

지정근 ,  홍창희 ,  공명국 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

MBE에 의한 porous Si 위에 GaAs 성장 ( The Growth of GaAs epi layer on porous Si MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  신수동 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

낮은 직렬 저항을 위한 uniparabolic 접합의 DBR 을 가진 850㎚ GaAs/AlGaAs VCSEL

나병훈 ,  송영민 ,  주건우 외 1명

한국통신학회 기타 간행물

2009 .12

Degradation Behavior of 850 nm AlGaAs/GaAs Oxide VCSELs Suffered from Electrostatic Discharge

Taeyong Kim ,  Taeki Kim ,  Sangin Kim 외 1명

[ETRI] ETRI Journal

2008 .12

GaAs-AI GaAs Multi-Quantum Well Laser ; MBE Growth and Characterization ( GaAs-AlGaAs Multi-Quantum Well Laser : MBE Growth and Characterization )

우덕하 ,  이정승 ,  김대욱 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01