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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.4
- 수록면
- 403 - 409 (7page)
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본 논문에서는 Marchand 발룬, 트랜스포머와 주입 잠금 버퍼를 이용한 CMOS 2단 차동전력증폭기를 보여준다. 본 전력증폭기는 70 ㎓ 주파수 대역을 목표로 설계하였고, 65 ㎚ 공정을 이용하여 제작하였다. 측정 결과, 71.3 ㎓에서 8.5 ㏈의 최대 전압 이득과 7.3 ㎓의 3 ㏈ 대역폭을 얻었다. 측정된 최대 출력 전력은 8.2 ㏈m, 입력 P<SUB>1㏈</SUB>는 ?2.8 ㏈m, 출력 P<SUB>1㏈</SUB>는 4.6 ㏈m이며, 최대 전력 부가 효율은 4.9 %이다. 본 전력증폭기는 1.2 V의 전원으로부터 102 ㎽의 DC 전력을 소모한다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 측정 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (10)
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1. [학술대회논문] - T. Suzuki / 2008 / 60 and 77 GHz power amplifiers in standard 90 nm CMOS / IEEE Int., Solid-Stae Circuits Conf. Tech. Dig. : 562 ~ 563
2. [학술대회논문] - Y. Hamada / 2009 / A high gain 77 GHz power amplifier operating at 0. 7 V based on 90 nm CMOS technology / IEEE Radio Freq. Integr. Circuits (RFIC) Symp. Dig. : 39 ~ 42
3. [학술대회논문] - J. -J. Kuo / 2009 / A 71-76 GHz chip set for wireless communication in 65-nm CMOS technology / IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig. : 189 ~ 192
4. [학술대회논문] - Y. Li / 2010 / A fully integrated 77 GHz FMCW radar system in 65 nm CMOS / IEEE Int., Solid-Stae Circuits Conf. Tech. Dig. : 216 ~ 217
5. [학술대회논문] - S. Aloui / 2010 / RFpad, transmission lines and balun optimization for 60 GHz 65 nm CMOS power amplifier / IEEE Radio Freq. Integr. Circuits (RFIC) Symp. Dig. : 211 ~ 214
2. [학술대회논문] - Y. Hamada / 2009 / A high gain 77 GHz power amplifier operating at 0. 7 V based on 90 nm CMOS technology / IEEE Radio Freq. Integr. Circuits (RFIC) Symp. Dig. : 39 ~ 42
3. [학술대회논문] - J. -J. Kuo / 2009 / A 71-76 GHz chip set for wireless communication in 65-nm CMOS technology / IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig. : 189 ~ 192
4. [학술대회논문] - Y. Li / 2010 / A fully integrated 77 GHz FMCW radar system in 65 nm CMOS / IEEE Int., Solid-Stae Circuits Conf. Tech. Dig. : 216 ~ 217
5. [학술대회논문] - S. Aloui / 2010 / RFpad, transmission lines and balun optimization for 60 GHz 65 nm CMOS power amplifier / IEEE Radio Freq. Integr. Circuits (RFIC) Symp. Dig. : 211 ~ 214
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