AlGaAs/GaAs Quantum-well Delta-doped Channel FET`s Grown by LP-MOCVD

Kyeong Sik Jang ,  Dong Ho Jeong ,  Jeong Su Lee 외 1명

International Conference on Electronics, Informations and Communications

1991 .01

MOCVD에 의한 Delta-Doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 ( The Fabrication and Characterization of Delta-Doped FET by MOCVD )

강명구 ,  오환술 ,  김무성 외 3명

전자공학회논문지-A

1991 .08

GaAs / AIGaAs HEMT's with Delta-Doped Quantum-Wells Grown by LP-MOCVD

Dong Ho Jeong ,  Kyeong Sik Jang ,  Yoon Ha Jeong

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

저압 MOCVD법을 이용한 AlGaAs / GaAs 양자우물구조 ( AlGaAs / GaAs Quantum Well Structures Grown by Low-pressure MOCVD )

정동호 ,  정윤하 ,  김광일 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

저압 MOCVD법을 이용한 AlGaAs/GaAs 양자 우물 구조의 성장 및 특성

鄭東皓 ,  丁潤夏 ,  金光一 외 1명

전기학회논문지

1990 .06

저압 유기금속기상 성장법에 의한 AlGaAs/GaAs 양자 우물에 델타 도우핑된 채널 FET 특성 ( Characteristics of AlGaAs/GaAs Quantum-Well Delta-Doped Channel FET`s by Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition )

장경식 ,  정동호 ,  이정수 외 1명

전자공학회논문지-A

1992 .04

Effect of Al-Rich Surface on Se-Doped GaAs Grown by LP-MOCVD

Jong Hee Kim ,  Dae Ho Lim ,  Gye Mo Yang 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

GaAs / AlGaAs 공명 투과 구조의 MOCVD 성장 및 특성 연구 ( MOCVD Growth and Characterization of and GaAs / AlGaAs Resonant Tunneling Structures )

유정호 ,  박상규 ,  양계모 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

MOCVD법을 이용한 AlGaAs / GaAs HEMT의 제작 ( Fabrication of AlGaAs / GaAs HEMT From MOCVD Water )

엄경숙 ,  김용 ,  김무성 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

AlGaAs / InGaAs / GaAs 이종접합 양자선 - FET의 제작 및 특성

손영진 ,  이봉훈 ,  정문영 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2000 .11

저압 MOCVD로 성장된 AlGaAs / GaAs MQW의 광특성 ( Optical properties of GaAs / AlGaAs MQW grown by low-pressure MOCVD )

최웅림 ,  이승원 ,  권오대

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

AlGaAs/GaAs double-heterojunction 전력용 FET의 설계 ( Design of an AlGaAs/GaAs Double-Heterojunction Power FET )

박인식 ,  김상명 ,  신석현 외 3명

전자공학회논문지-A

1993 .08

AlGaAs / GaAs Double-Heterojunction 구조를 이용한 전력용 FET의 설계 ( A Design of Power FET Using AlGaAs / GaAs Double-Heterojunction Structure )

박인식 ,  김상명 ,  조희철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

Luminescence Study of Carbon Doped GaAs Grown on GaAs ( 311 ) a Substrate by MOCVD

S. Cho ,  D. Lee ,  C. S. Son 외 4명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

MOCVD에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 ( Growth of GaAs/AlGaAs Superlattice and HEMT Structures by MOCVD )

김무성 ,  김용 ,  엄경숙 외 2명

전자공학회논문지

1990 .02

저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

MOCVD Growth of Low Doped p-type AlGaAs Buffer Layers by Intrinsic Carbon Doping Method

최승준 ,  서진호 ,  이재학 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

고준위 도핑된 AlGaAs / GaAs 양자 우물의 충돌 이온화율 ( Impact Ionization Rate of the Highly-Doped AlGaAs / GaAs Quantum Well )

윤기정 ,  황성범 ,  송정근 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

고준위 도핑된 AlGaAs/GaAs 양자 우물의 충돌 이온화율 ( Impact Ionization Rate of the Highly-Doped AlGaAs/GaAs Quantum Well )

윤기정 ,  황성범 ,  송정근 외 1명

전자공학회논문지-A

1996 .04

Lateral Growth Rate Control of GaAs and AlGaAs by CC14 During MOCVD on Patterned Substrates

Moo Sung Kim ,  Yong Kim ,  Yang Keun Pa 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01