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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Timothy Junghee Han (Global Power Electronics) Jared Preston (Global Power Electronics) David Ouwerkerk (Global Power Electronics)
저널정보
전력전자학회 JOURNAL OF POWER ELECTRONICS JOURNAL OF POWER ELECTRONICS Vol.13 No.4
발행연도
2013.7
수록면
584 - 591 (8page)

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In this paper, a hybrid booster power module with Si IGBT and Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diode (SBDs) is presented. The switching characteristics of the hybrid booster module are compared with commercial Silicon IGBT/Si PIN diode based modules. We applied the booster power module into a non-isolated on board vehicle charger with a simple buck-booster topology. The performances of the on-vehicle charger are analyzed and measured with different power modules. The test data is measured in the same system, at the same points of operation, using the conventional Si and hybrid Si/SiC power modules. The measured power conversion efficiency of the proposed on-vehicle charger is 96.4 % with the SiC SBD based hybrid booster module. The conversion efficiency gain of 1.4 % is realizable by replacing the Si-based booster module with the Si IGBT/SiC SBD hybrid boost module in the 6.6 kW on-vehicle chargers.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. HYBRID BOOSTER POWER MODULE
III. 6.6 KWON-VEHICLE CHARGER
IV. EXPERIMENTAL RESULTS
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (14)

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