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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.7
- 수록면
- 82 - 85 (4page)
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2013
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A methodology for designing edge termination on non-uniform 100 V class super-junction (SJ) trench MOSFET is suggested to obtain the same breakdown voltage (BV) and the specific on-resistance (R<SUB>on, sp</SUB>) as those of the main active region. In designing an edge termination of power MOSFET, there is a tradeoff relationship between breakdown voltage and specific on-resistance. In order to overcome the tradeoff relationship, a edge termination on non-uniform SJ MOSFET is studied and designed in this paper. The breakdown voltage of the edge termination is simulated as 120 V by SILVACO TCAD, which is consistent with the suggested theory.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Edge termination 구조 및 설계
Ⅲ. 시뮬레이션
Ⅳ. 결론 및 검토
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