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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.3
- 수록면
- 579 - 584 (6page)
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본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 드레인유기장벽 감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자 한다. 드레인유도장벽감소 현상은 채널의 길이가 짧아질 때 드레인 전압이 소스측 전위장벽에 영향을 미쳐 장벽의 높이를 감소시키는 현상으로써 단채널에서 발생하는 매우 중요한 효과이다. 본 연구에서는 DIBL을 해석하기 위하여 이미 발표된 논문에서 타당성이 입증된 포아송 방정식의 해석학적 전위분포를 이용할 것이다. 이 모델은 특히 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 소자 파라미터인 채널두께, 산화막두께, 도핑농도 등에 대하여 드레인유 도장벽감소의 변화를 관찰하고자 한다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 드레인유도장벽감소 모델
Ⅲ. 드레인유도장벽감소
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (9)
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1. [학술대회논문] - J.E.Suseno / 2009 / Extraction of SPICE Model for Double Gate Vertical MOSFET / 2009 3th Asia International Conference on Modeling & Simulation : 761 ~ 766
2. [학술지(정기간행물)] - H.K.Jung / 2006 / Analysis of Subthreshold Carrier Transport for Ultimate DGMOSFET / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 685 ~ 691
3. [학술대회논문] - S.Namana / 2010 / A Subthreshold Surface Potential Modeling of Drain/Source Edge Effect on Double Gate MOS Transistor / 2010 International Conference on Electronics and Information Engineering 1 : 87 ~ 91
4. [학술지(정기간행물)] - A. Sahoo / 2010 / A Computationally Efficient Generalized Poisson Solution for Independent Double-Gate Transistors / IEEE Trans. Electron Devices 57 (3) : 632 ~ 636
5. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
2. [학술지(정기간행물)] - H.K.Jung / 2006 / Analysis of Subthreshold Carrier Transport for Ultimate DGMOSFET / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 685 ~ 691
3. [학술대회논문] - S.Namana / 2010 / A Subthreshold Surface Potential Modeling of Drain/Source Edge Effect on Double Gate MOS Transistor / 2010 International Conference on Electronics and Information Engineering 1 : 87 ~ 91
4. [학술지(정기간행물)] - A. Sahoo / 2010 / A Computationally Efficient Generalized Poisson Solution for Independent Double-Gate Transistors / IEEE Trans. Electron Devices 57 (3) : 632 ~ 636
5. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
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