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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.8
- 수록면
- 1,734 - 1,740 (7page)
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본 논문에서는 단일전원을 사용하는 PMIC 칩이 패키지 상태에서 eFuse OTP 메모리를 프로그램 가능하도록 스위칭 전류가 작은 FSOURCE 회로를 제안하였다. 제안된 FSOURCE 회로는 non-overlapped clock을 사용하여 short-circuit current를 제거하였으며, 구동 트랜지스터의 ON되는 기울기를 줄여 최대 전류를 줄였다. 그리고 power-on reset 모드동안 eFuse OTP의 출력 데이터를 임의의 데이터로 초기화시키는 DOUT 버퍼 회로를 제안하였다. 0.35㎛ BCD 공정을 이용하여 설계된 24비트 differential paired eFuse OTP 메모리의 레이아웃 면적은 381.575㎛ × 354.375㎛(=0.135㎟)이다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로설계
Ⅲ. 모의실험 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (6)
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1. [학술지(정기간행물)] - H. K. Cha / 2006 / A 32-KB standard CMOS antifuse one-time programmable ROM embedded in a 16-bit microcontroller / IEEE Journal of Solid-State Circuits 41 (9)
2. [학술대회논문] - S. H. KULKARNI / 2009 / High-density 3-Dmetal-fuse PROM featuring 1.37㎛2 1T1R bit cell in 32nm high-k metal-gate CMOS technology / Symposium on VLSI Circuits : 28 ~ 29
3. [학술대회논문] - J. Fellner / 2005 / Lifetime study for a poly fuse in a 0.35 mm polycide CMOS process / Proceedings of the 43rd IEEE Annual International Reliability Physics Symposium. San Jose : 446 ~ 449
4. [학술지(정기간행물)] - C. Kpthandaraman / 2002 / Electrically programmable fuse (eFuse) using electromigration in silicides / IEEE Electron Device Letters 23 (9) : 523 ~ 525
6. [학술대회논문] - Y. B. Park / 2011 / Design of an eFuse OTP memory of 8 bits based on a 0.35um BCD process / Proceeding of 2011 International Conference on Mobile·IT Convergence : 137 ~ 139
2. [학술대회논문] - S. H. KULKARNI / 2009 / High-density 3-Dmetal-fuse PROM featuring 1.37㎛2 1T1R bit cell in 32nm high-k metal-gate CMOS technology / Symposium on VLSI Circuits : 28 ~ 29
3. [학술대회논문] - J. Fellner / 2005 / Lifetime study for a poly fuse in a 0.35 mm polycide CMOS process / Proceedings of the 43rd IEEE Annual International Reliability Physics Symposium. San Jose : 446 ~ 449
4. [학술지(정기간행물)] - C. Kpthandaraman / 2002 / Electrically programmable fuse (eFuse) using electromigration in silicides / IEEE Electron Device Letters 23 (9) : 523 ~ 525
6. [학술대회논문] - Y. B. Park / 2011 / Design of an eFuse OTP memory of 8 bits based on a 0.35um BCD process / Proceeding of 2011 International Conference on Mobile·IT Convergence : 137 ~ 139
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