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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.4
- 수록면
- 805 - 811 (7page)
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본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 채널 내 전자분포에 대한 전도중심의 이동을 분석하고자 한다. 이를 위하여 기존에 발표되어 타당성이 입증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포 모델을 이용할 것이다. 이중게이트 MOSFET의 경우 두개의 게이트전압에 의한 전류제어능력의 증가로 단채널 효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 단채널효과는 주로 문턱전압영역을 포함한 문턱전압이하 영역에서 발생하므로 문턱전압이하 영역에서의 전송특성을 분석하는 것은 매우 중요하다. 또한 전송특성은 채널 내 전자의 분포 및 전도 중심의 변화 등에 영향을 받는다. 그러므로 본 연구에서는 채널 내 전자분포의 변화가 전도중심에 미치는 영향을 채널도핑농도, 도핑분포함수 그리고 채널의 크기 등에 따라 분석할 것이다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전위분포모델과 전도중심
Ⅲ. 전위 및 전자분포와 전도 중심
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (7)
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1. [학술지(정기간행물)] - H.K.Jung / 2006 / Analysis of Subthreshold Carrier Transport for Ultimate DGMOSFET / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 685 ~ 691
2. [학술지(정기간행물)] - A.S.Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 737 ~ 741
3. [학술대회논문] - S.Namana / 2010 / A Subthreshold Surface Potential Modeling of Drain/Source Edge Effect on Double Gate MOS Transistor / 2010 International Conference on Electronics and Information Engineering 1 : 87 ~ 91
4. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009
5. [학술지(정기간행물)] - G. Zhang / 2008 / Threshold voltage model for short channel FD-SOI MOSFETs with vertical Gaussian profile / IEEE Tran. Electron Devices 55 : 803 ~ 809
2. [학술지(정기간행물)] - A.S.Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 737 ~ 741
3. [학술대회논문] - S.Namana / 2010 / A Subthreshold Surface Potential Modeling of Drain/Source Edge Effect on Double Gate MOS Transistor / 2010 International Conference on Electronics and Information Engineering 1 : 87 ~ 91
4. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009
5. [학술지(정기간행물)] - G. Zhang / 2008 / Threshold voltage model for short channel FD-SOI MOSFETs with vertical Gaussian profile / IEEE Tran. Electron Devices 55 : 803 ~ 809
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