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Sub-0.1㎛로 스케일이 감소함에 따라 기생 저항 효과가 크게 발생되는 dc Ids 측정 데이터 없이 측정 S-파라미터로부터 얻어진 RF Ids를 사용하여 벌크 MOSFET의 포화영역에서 게이트 전압 종속 유효 캐리어 속도를 추출하는 새로운 방법이 개발 되었다. 이 방법은 바이어스 종속 기생 게이트-소스 캐패시턴스와 유효 채널 길이의 복잡한 추출 없이 포화영역의 유효 캐리어 속도를 추출할 수 있게 한다. 이러한 RF 기술을 사용하여 벌크 포화 속도를 초과하는 전자 속도 overshoot 현상이 0.065㎛ 게이트 길이의 벌크 N-MOSFET에서 관찰되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. NEW EXTRACTION METHOD
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (8)
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1. [학술지(정기간행물)] - A. Lochtefeld / 2001 / On experimental determination of carrier velocity in deeply scaled NMOS : How close to the thermal limit ? / IEEE Electron Device Lett 22 (2) : 95 ~ 97
2. [학술지(정기간행물)] - R. Ohba / 2001 / Nonstationary electron/hole transport in sub-0. 1㎛ MOS devices : correlation with mobility and low-power CMOS application / IEEE Trans. Electron Device 48 (2) : 338 ~ 343
3. [학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2006 / A new method to extract carrier velocity in sub-0. 1㎛ MOSFETs using RF measurements / IEEE Trans. Nanotechnology 5 (3) : 163 ~ 166
4. [학술지(정기간행물)] - J. Cha / 2008 / Uncertainty analysis of two-step and three-step methods for deembedding on-wafer RF transistor measurements / IEEE Trans. Electron Device 55 : 2195 ~ 2201
5. [학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2005 / An accurate RF extraction method for resistances and inductances of sub-0. 1㎛ CMOS transistors / Electronics Letters 41 (24) : 1325 ~ 1327
2. [학술지(정기간행물)] - R. Ohba / 2001 / Nonstationary electron/hole transport in sub-0. 1㎛ MOS devices : correlation with mobility and low-power CMOS application / IEEE Trans. Electron Device 48 (2) : 338 ~ 343
3. [학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2006 / A new method to extract carrier velocity in sub-0. 1㎛ MOSFETs using RF measurements / IEEE Trans. Nanotechnology 5 (3) : 163 ~ 166
4. [학술지(정기간행물)] - J. Cha / 2008 / Uncertainty analysis of two-step and three-step methods for deembedding on-wafer RF transistor measurements / IEEE Trans. Electron Device 55 : 2195 ~ 2201
5. [학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2005 / An accurate RF extraction method for resistances and inductances of sub-0. 1㎛ CMOS transistors / Electronics Letters 41 (24) : 1325 ~ 1327
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