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본 논문은 금속 산화물 반도체의 산화막 두께, 채널 폭과 길이에 따른 실리콘 산화막의 신뢰성 특성을 연구하였다. 스트레스전류와 전이전류는 스트레스 전압에 의하여 발생된다. 스트레스 유기 누설전류는 스트레스 전압 인가 동안과 인가 후의 실리콘 산화막에 나타난다. 이때 저레벨 스트레스 전압에 의한 저레벨 누설전류는 저전압 인가 동안과 인가 후의 얇은 실리콘 산화막에서 발생한다. 저레벨 누설전류는 각각 스트레스 바이어스 조건에 따라 스트레스전류와 전이전류를 측정하였다. 스트레스 채널전류는 일정한 게이트 전압이 인가동안 측정하였고 전이 채널전류는 일정한 게이트 전압을 인가한 후에 측정하였다. 본 연구는 소자의 구동 동작 신뢰성을 위하여 저레벨 스트레스 바이어스 전압에 의한 스트레스 전류와 전이전류가 발생되어 이러한 저레벨 누설전류를 조사하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Discussion
Ⅲ. Conclusions
REFERENCES
참고문헌 (5)
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1. [학술지(정기간행물)] - C. S. Kang / 1998 / The Search for Cathode and Anode Traps in High Voltage Stressed Silicon Oxides / Journal of Elect. Society 145 (4) : 1292 ~ 1296
2. [학술지(정기간행물)] - J.C. Jackson / 1999 / Electric Breakdowns and Breakdown Mechanisms in Ultrathin Silicon Oxides / Microelectronics Reliability 39 : 171 ~ 179
3. [학술지(정기간행물)] - Borkar, Ajay / 2011 / Leaky Deep Submicrometer Transistor Mechanism and It's Analytical Estimation / Advances in Computational Sciences & Technology 4 : 239 ~ 242
4. [학술지(정기간행물)] - Suñe, Jordi / 2011 / Breakdown Modes and Breakdown Statistics of Ultrathin SiO Gate Oxides / International Journal of High Speed Electronics & Systems 11 (3) : 789 ~ 848
5. [학술지(정기간행물)] - Samantaray, Malay M. / 2012 / Electrode Defects in Multilayer Capacitors Part II : Finite Element Analysis of Local Field Enhancement and Leakage Current in Three Dimensional Microstructures / Journal of the American Ceramic Society 95 : 264 ~ 268
2. [학술지(정기간행물)] - J.C. Jackson / 1999 / Electric Breakdowns and Breakdown Mechanisms in Ultrathin Silicon Oxides / Microelectronics Reliability 39 : 171 ~ 179
3. [학술지(정기간행물)] - Borkar, Ajay / 2011 / Leaky Deep Submicrometer Transistor Mechanism and It's Analytical Estimation / Advances in Computational Sciences & Technology 4 : 239 ~ 242
4. [학술지(정기간행물)] - Suñe, Jordi / 2011 / Breakdown Modes and Breakdown Statistics of Ultrathin SiO Gate Oxides / International Journal of High Speed Electronics & Systems 11 (3) : 789 ~ 848
5. [학술지(정기간행물)] - Samantaray, Malay M. / 2012 / Electrode Defects in Multilayer Capacitors Part II : Finite Element Analysis of Local Field Enhancement and Leakage Current in Three Dimensional Microstructures / Journal of the American Ceramic Society 95 : 264 ~ 268
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