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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.12
- 수록면
- 2,258 - 2,263 (6page)
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목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
참고문헌 (8)
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1. [학술지(정기간행물)] - / 1988. / Shallow trench isolation for advanced ULSI CMOS technologies Proceeding of IEEE International Electron Devices Meeting : 133 ~ 136
2. [학술지(정기간행물)] - / 2006 / Study of 90-nm MOSFET Subthreshold Hump Characteristics Using Newly Developed MOSFET Array Test Structure 19 (1) : 19 ~ 26
3. [학술지(정기간행물)] - / 1999 / Contribution to the characterization of the hump effect in MOSFET submicronic technologies : 188 ~ 193
4. [학술지(정기간행물)] - / 2000 / Subthreshold hump mechanisms for both surface and buried channel MOSFET using STI technology : 108 ~ 111
5. [학술지(정기간행물)] - / 1996 / N-channel MOS FET Degradation by Source/Drain Implantation : 642 ~ 645
2. [학술지(정기간행물)] - / 2006 / Study of 90-nm MOSFET Subthreshold Hump Characteristics Using Newly Developed MOSFET Array Test Structure 19 (1) : 19 ~ 26
3. [학술지(정기간행물)] - / 1999 / Contribution to the characterization of the hump effect in MOSFET submicronic technologies : 188 ~ 193
4. [학술지(정기간행물)] - / 2000 / Subthreshold hump mechanisms for both surface and buried channel MOSFET using STI technology : 108 ~ 111
5. [학술지(정기간행물)] - / 1996 / N-channel MOS FET Degradation by Source/Drain Implantation : 642 ~ 645
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