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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.9
- 수록면
- 2,127 - 2,132 (6page)
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화학적 증착방법으로 구리기판 위에 그래핀을 형성하고 일반적인 전사방법을 이용하여 그래핀 박막을 제작하였다. 메탄과 수소 가스의 유량비에 따른 특성에 대하여 라만 분석법을 이용하여 조사하였다. 메탄의 유량이 많을수록 그래핀의 형성이 잘 이루어지는 것을 확인하였다. 수소의 양이 증가할수록 D (1350 cm<SUP>-1</SUP>), G (1580 cm<SUP>-1</SUP>) 대역이 증가 하였으며, 상대적으로 메탄의 유량비가 증가할수록 2D (2700 cm<SUP>-1</SUP>)의 픽이 강도가 증하였다. D (1350 cm<SUP>-1</SUP>)은 결함과 관련되어 있는 픽이다. 그래핀의 단층확인은 G/2D의 비율이 작을수록 그래핀이 단일박막임을 알 수 있고, 200도에서 열처리 후 0.55의 값을 나타내는 것을 확인하였다. 그래핀 채널 트랜지스터를 제작한 결과 p 형 반도체로서의 전달특성이 나타나는 것을 확인하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 본론
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - D. Geng / 2012 / Uniform hexagonal graphene flakes and films grown on liquid copper surface / PNAS 21 : 7992 ~ 7996
3. [학술지(정기간행물)] - Vasilii I. Aeryukhov / 2012 / Euailibrium at the ede and atomistic mechanisms of graphenegrowth / PNAS 18 : 15136 ~ 15140
4. [학술지(정기간행물)] - 칼릴 하피츠 / 2012 / Anisotropic Electronic Transport of Graphene on a Nano-Patterned Substrate / 한국진공학회지 21 (5) : 279 ~ 285
5. [학술지(정기간행물)] - S. Suzuki / 2012 / Graphene growth from spin coated polymers without a gas / Jpn. J. Appl. Phys 51 : 06FD01 ~
6. [학술지(정기간행물)] - R. Negishi / 2012 / Carrier transport properties of the field effect transistors with graphene channel propared by chemical vapor deposition / Jpn. J. Appl. Phys 51 : 06FD03 ~
3. [학술지(정기간행물)] - Vasilii I. Aeryukhov / 2012 / Euailibrium at the ede and atomistic mechanisms of graphenegrowth / PNAS 18 : 15136 ~ 15140
4. [학술지(정기간행물)] - 칼릴 하피츠 / 2012 / Anisotropic Electronic Transport of Graphene on a Nano-Patterned Substrate / 한국진공학회지 21 (5) : 279 ~ 285
5. [학술지(정기간행물)] - S. Suzuki / 2012 / Graphene growth from spin coated polymers without a gas / Jpn. J. Appl. Phys 51 : 06FD01 ~
6. [학술지(정기간행물)] - R. Negishi / 2012 / Carrier transport properties of the field effect transistors with graphene channel propared by chemical vapor deposition / Jpn. J. Appl. Phys 51 : 06FD03 ~
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