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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
안은혜 (경북대학교) 최준림 (경북대학교)
저널정보
한국산업정보학회 한국산업정보학회논문지 한국산업정보학회논문지 제18권 제5호
발행연도
2013.10
수록면
19 - 23 (5page)

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본 논문에서는 고속 데이터 처리용 TCAM(Ternary Content Addressable Memory) 설계를 위하여 6T SRAM cell의 안정성 분석 방법에 대해 기술하였다. TCAM은 고속 데이터 처리를 목적으로 하기 때문에 동작 주파수가 높아질수록 필요 시 되는 CMOS 공정의 단위가 작아지게 된다. 공급 전압의 감소는 TCAM 동작에 불안정한 영향을 줄 수 있으므로 SRAM cell 안정성 분석을 통한 TCAM 설계가 필수적이다. 우리는 6T SRAM의 정적 노이즈 마진(SNM)을 측정하여 분석하였고, TCAM의 모든 시뮬레이션은 0.18㎛ CMOS 공정을 사용하여 확인하였다.

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References

참고문헌 (7)

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