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저자정보
KyungSoo Kim (성균관대학교) IkChan Jang (성균관대학교) JeongMin Jo (성균관대학교) SangKeun Kwak (성균관대학교) SoYoung Kim (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2012년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2012.6
수록면
1,419 - 1,422 (4page)

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The latest process technology requires wide bandwidth voltage regulator modules. However, wide bandwidth induces low electromagnetic interference immunity problem. Though the susceptibility of voltage regulator modules has not been deeply investigated in the view of output DC level shift. In this paper, the effects of interference in wide bandwidth voltage regulator module are simulated and discussed. The voltage regulator module (VRM) used in this work consists of two stage CMOS operational amplifier and feedback loop with 1.2 V supply voltage. We find out that output DC level shift occurs and the amount differs as higher frequency noise is injected. Also we figure out the noise tolerance with respect to input forward power for different VRM bandwidth conditions.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Theoretical Modeling
Ⅲ. Simulation Setup
Ⅳ. Result and Analysis
Ⅴ. Conclusion
References

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