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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이동열 (한국생산기술연구원) 이유진 (한국생산기술연구원) 김현종 (한국생산기술연구원) 이민형 (한국생산기술연구원)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제47권 제2호
발행연도
2014.4
수록면
68 - 74 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2015

고종횡비 실리콘 관통전극의 구리 씨앗층 단차피복도 개선을 위한 팔라듐 나노입자의 전기영동 증착법에 관한 연구
이동열 신소재공 2015.01 학위논문

2014

Pd/Cu/PVP 콜로이드를 이용한 고종횡비 실리콘 관통전극 내 구리씨앗층의 단차피복도 개선에 관한 연구
이동열 ,  이유진 ,  김현종 외 1명 한국표면공학회지 2014.04 학술저널

초록· 키워드

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The seed step-coverage enhancement process (SSEP) using Pd/Cu/PVP colloids was investigated for the filling of through silicon via (TSV) without void. TEM analysis showed that the Pd/Cu nano-particles were well dispersed in aqueous solution with the average diameter of 6.18 nm. This Pd/Cu nano-particles were uniformly deposited on the substrate of Si/SiO2/Ti wafer using electrophoresis with the high frequency Alternating Current (AC). After electroless Cu deposition on the substrate treated with Pd/Cu/PVP colloids, the adhesive property between deposited Cu layer and substrate was evaluated. The Cu deposit obtained by SSEP with Pd/Cu/PVP colloids showed superior adhesion property to that on Pd ion catalyst-treated substrate. Finally, by implementing the SSEP using Pd/Cu/PVP colloids, we achieved 700% improvement of step coverage of Cu seed layer compared to PVD process, resulting in void-free filling in high aspect ratio TSV.
#Seed step-coverage enhancement process (SSEP) #Pd/Cu/PVP colloids #Through silicon via (TSV) #Electrophoresis

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (3)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - E. Beyne / 2006 / / VLSI Technology, Systems, and Applications 1 google schola 2. [학술대회논문] - C. Gregory / 2010 / / Temple, D, Electronic Components and Technology Conference (ECTC) 60 : 1769 ~ google schola 3. [학술대회논문] - M. Jürgen Wolf / 2008 / / Electronic Components and Technology Conference : 563 ~ google schola

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2015-580-001441825