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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.4
- 수록면
- 37 - 43 (7page)
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본 논문에서는 대부분의 선형 집적회로와 집적 주입 논리 회로에 넓게 사용되고 있는 NPN 트랜지스터의 에미터 면적의 크기에 대한 순방향 전류 이득의 영향에 대해 연구하였다. 순방향 전류이득과 에미터 면적 사이의 관계를 실험과 시뮬레이션을 통해 확인하였다. 같은 에미터 길이에서 에미터 접합 깊이가 증가 할수록 에미터 전류 이득은 감소하였다. 측면 면적에 비해 에미터 바닥 면적 비율이 증가할수록 에미터 전류이득은 증가하였다. 이론과 시뮬레이션의 결과는 실험결과와 함께 아주 잘 일치하였다.
목차
요약
Abstract
1. Introduction
2. Theory[8]
3. Experiment
4. Results and discussion
5. Conclusion
References
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
1. [단행본] - P. E. Gray / 1964 / SEEC, Vol. 2 / Wiley
2. [학술지(정기간행물)] - D. J. Roulston. / 1980 / Emitter-collector breakdown voltage BVceo versus gain hfe for various NPN collector doping levels / Electronics Letters 16 (21) : 803 ~ 804
3. [학술지(정기간행물)] - T. H. Ning. / 1980 / Effect of emitter contact on current gain of silicon bipolar devices / IEEE Trans. Electorn Devices ED-27 (11) : 2051 ~ 2055
4. [학술지(정기간행물)] - D. J. Roulston / 1975 / Low current base-collector boundary conditions in GHz Frequency transistor / Solid State Electonics 18 (10) : 845 ~ 847
5. [학술지(정기간행물)] - R. L. Pritchard. / 1961 / Transistor internal parameters for a small-signal representation / Proc. IRE 49 (4) : 725 ~ 739
2. [학술지(정기간행물)] - D. J. Roulston. / 1980 / Emitter-collector breakdown voltage BVceo versus gain hfe for various NPN collector doping levels / Electronics Letters 16 (21) : 803 ~ 804
3. [학술지(정기간행물)] - T. H. Ning. / 1980 / Effect of emitter contact on current gain of silicon bipolar devices / IEEE Trans. Electorn Devices ED-27 (11) : 2051 ~ 2055
4. [학술지(정기간행물)] - D. J. Roulston / 1975 / Low current base-collector boundary conditions in GHz Frequency transistor / Solid State Electonics 18 (10) : 845 ~ 847
5. [학술지(정기간행물)] - R. L. Pritchard. / 1961 / Transistor internal parameters for a small-signal representation / Proc. IRE 49 (4) : 725 ~ 739
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