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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.7
- 수록면
- 791 - 794 (4page)
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본 논문에서는 65-nm CMOS 공정을 이용하여 300 GHz 주파수 대역의 영상 검출기를 제작하고, 이에 기반하여 영상을 획득하였다. 검출기 회로 구조는 square-law 동작에 기초를 두고 있다. 제작된 검출기는 285 GHz에서 2,270 V/W의 최대 반응도(responsivity)와 38 pW/Hz<SUP>1/2</SUP>의 최소 NEP(Noise Equivalent Power)를 보였으며, 250～305 GHz의 범위에서 NEP<～200 pW/Hz<SUP>1/2</SUP>를 보였다. 측정용 패드와 밸룬(Balun)을 포함한 제작된 칩의 크기는 400 μm×450 μm이며, 측정용 요소들을 제외한 주요 칩의 크기는 150 μm×100 μm이다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 측정 결과
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (5)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - 윤대근 / 2013 / 65-nm RFCMOS 공정 기반 145 GHz 이미징 검출기 / 한국전자파학회 논문지 24 (11) : 1027 ~ 1033
2. [학술지(정기간행물)] - Franz Schuster / 2011 / Broadband terahertz imaging with highly sensitive silicon CMOS detectors / Optics Express 19 (8) : 7827 ~ 7832
3. [학술대회논문] - R. Han / 2012 / 280 GHz and 860 GHz image sensors using Schottky-barrier diodes in 0.13 m digital CMOS / IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers : 254 ~ 256
4. [학술대회논문] - H. Sherry / 2011 / Lens-integrated THz imaging arrays in 65nm CMOS technologies / IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium : 1 ~ 4
5. [학술대회논문] - M. Uzunkol / 2012 / Millimeter-wave and terahertz sources and imaging systems based on 45nm CMOS technology / IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest : 1 ~ 3
2. [학술지(정기간행물)] - Franz Schuster / 2011 / Broadband terahertz imaging with highly sensitive silicon CMOS detectors / Optics Express 19 (8) : 7827 ~ 7832
3. [학술대회논문] - R. Han / 2012 / 280 GHz and 860 GHz image sensors using Schottky-barrier diodes in 0.13 m digital CMOS / IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers : 254 ~ 256
4. [학술대회논문] - H. Sherry / 2011 / Lens-integrated THz imaging arrays in 65nm CMOS technologies / IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium : 1 ~ 4
5. [학술대회논문] - M. Uzunkol / 2012 / Millimeter-wave and terahertz sources and imaging systems based on 45nm CMOS technology / IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest : 1 ~ 3
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