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저자정보
이기창 (경북대학교) 조광민 (경북대학교) 이준형 (경북대학교) 김정주 (경북대학교) 허영우 (경북대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제47권 제5호
발행연도
2014.10
수록면
239 - 243 (5page)

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The electrical and optical properties of amorphous In-Tin-Zinc-Oxide(ITZO) deposited at room temperature using rf-magnetron sputtering were investigated. The amorphous ITZO thin films were obtained at the composition of In:Sn:Zn = 6:2:2, 4:3:3, and 2:4:4, but the ITZO (8:1:1) showed a crystalline phase of bixbyite structure of In₂O₃. The resistivity of ITZO could be controlled by oxygen pressure in the sputtering ambient. The resistivity of post-annealed ITZO thin films exhibited the dependence on the amount of Indium. Optical energy band gap and transmittance increased as the amount of indium in ITZO increased. For the device application with ITZO, the bottom-gated thin-film transistor using ITZO as a active channel layer was fabricated. It showed a threshold voltage of 1.42V and an on/off ratio of 5.63×10<SUP>7</SUP> operated with saturation field-effect mobility of 14.2 ㎠/V·s.
#ITZO #RF Magnetron sputtering #Oxide TFT #transparent conductive oxide

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (14)

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1. [학술지(정기간행물)] - K. Nomura / 2004 / / Nature 432 : 488 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - T. Kamiya / 2010 / / Sci. Technol. Adv. Mater 11 : 044305 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - K. Ebata / 2012 / / Appl. Phys Express 5 : 011102 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - J. S. Seo / 2014 / / ACS Appl. Mater. Interfaces 6 (17) : 15335 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - D. P. Heineck / 2009 / / IEEE Electron Device Lett 30 : 514 ~ google schola

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