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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.14 No.5
- 발행연도
- 2014.10
- 수록면
- 503 - 507 (5page)
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The on-state resistance (RON) instability of standard complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) antifuse cells has been observed for the first time by using acceleration factors: stress current and ambient temperature. If the program current is limited, the RON increases as time passes during read operation.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. MEASUREMENT CONDITION
III. MEASUREMENT AND DISCUSSION
III. SUMMARY
REFERENCES
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - P. Candelier / 2000 / One time programmable drift antifuse cell reliability / Proc. IEEE Int. Reliabil. Phys. Symp. : 169 ~ 173
2. [학술지(정기간행물)] - J. Kim / 2003 / Three-transistor one-time programmable (OTP) ROM cell array using standard CMOS gate oxide antifuse / IEEE Electron Device lett. 24 (9) : 589 ~ 591
3. [학술대회논문] - H. Ito / 2004 / Pure CMOS one-time programmable memory using gate-ox anti-fuse / Proc. IEEE Custom Integr. Circuits Conf. : 469 ~ 471
4. [학술지(정기간행물)] - H. -K. Cha / 2006 / A 32-KB Standard CMOS antifuse one-time programmable ROM embedded in a 16-bit microcontroller / IEEE Journal of Solid-State Circuits 41 (9) : 2115 ~ 2124
5. [학술대회논문] - R. J. Wong / 1996 / Time dependent reliability of the programmed metal electrode antifuse / Proc. IEEE Int. Reliabil. Phys. Symp. : 22 ~ 26
2. [학술지(정기간행물)] - J. Kim / 2003 / Three-transistor one-time programmable (OTP) ROM cell array using standard CMOS gate oxide antifuse / IEEE Electron Device lett. 24 (9) : 589 ~ 591
3. [학술대회논문] - H. Ito / 2004 / Pure CMOS one-time programmable memory using gate-ox anti-fuse / Proc. IEEE Custom Integr. Circuits Conf. : 469 ~ 471
4. [학술지(정기간행물)] - H. -K. Cha / 2006 / A 32-KB Standard CMOS antifuse one-time programmable ROM embedded in a 16-bit microcontroller / IEEE Journal of Solid-State Circuits 41 (9) : 2115 ~ 2124
5. [학술대회논문] - R. J. Wong / 1996 / Time dependent reliability of the programmed metal electrode antifuse / Proc. IEEE Int. Reliabil. Phys. Symp. : 22 ~ 26
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