P(VDF-TrFE) 중합체 박막을 이용한 비휘발성 유기물 강유전체 메모리 박막 트랜지스터

정상현; 김광호

doi:10.14801/jkiit.2015.13.1.11

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정상현 김광호 (청주대학교)

저널정보: 한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제13권 제1호(JKIIT, Vol.13, No.1)

발행연도: 2015.1

수록면: 11 - 16 (6page)

DOI: 10.14801/jkiit.2015.13.1.11

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2015

P(VDF-TrFE) copolymer 박막을 이용한 강유전체 메모리 디바이스의 제작 및 특성에 관한 연구

정상현 電子工學科 2015.01 학위논문

P(VDF-TrFE) 중합체 박막을 이용한 비휘발성 유기물 강유전체 메모리 박막 트랜지스터

정상현 , 김광호 한국정보기술학회논문지 2015.01 학술저널

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유리 기판 위에 유기물 강유전체 재료인 P(VDF-TrFE)를 게이트 절연층으로 사용하고, 유기물 반도체 재료인 F8T2를 반도체 채널층으로 사용한 유기물 강유전체 비휘발성 박막 트랜지스터를 제작하였다. 유기물 반도체층은 140℃에서 60분 동안 열처리 하였으며, P(VDF-TrFE)를 dimethylformamide(DMF) 솔벤트에 3-5wt%로 희석시켜 스핀코팅법으로 증착한 후 100~150℃에서 60분 동안 열처리하였다. 제작된 메모리 트랜지스터로부터 4.53×10-2㎠V-1s-1의 이동도, 104의 온/오프비 및 2V/decade의 subthreshold swing을 얻었다. 시간 경과에 따른 드레인 전류의 변화량을 확인한 결과, 1000초 경과 후 온/오프비는 40이었다. 상기 결과들로부터 유리 기판 상에 제작된 유기물 강유전체 메모리 트랜지스터는 비휘발성 메모리로서의 응용 가능성이 충분함을 확인하였다.

#P(VDF-TrFE) copolymer #thin-film transistor #nonvolatile memory

참고문헌 (9)

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1. [학술지(정기간행물)] - J. Y. Bak / 2013 / Nonvolatile Memory Performance Improvements for Solution-Processed Thin-Film Transistors with Composition-Modified In–Zn–Ti–O Active Channel and Ferroelectric Copolymer Gate Insulator / Org. Electr 14 (9) : 2148 ~ 2157

2. [학술지(정기간행물)] - J. S. Choi / 2014 / Stretchable Organic Thin-Film Transistors Fabricated on Wavy-Dimensional Elastomer Substrates Using Stiff-Island Structures / IEEE Electron Device Letters 35 (7) : 762 ~ 764

3. [학술지(정기간행물)] - S. W. Jung / / Oxide Semiconductor-Based Flexible Organic/Inorganic Hybrid Thin-Film Transistors Fabricated on Poly(dimethylsiloxane) Elastomer / J. Nanosci. Nanotechnol

4. [학술지(정기간행물)] - 백청택 / 2008 / 모바일용 NAND 플래시 제어기 IP 설계 / 한국정보기술학회논문지 6 (5) : 179 ~ 184

5. [학술지(정기간행물)] - 김교태 / 2011 / 비휘발성 Memristor SRAM Cell의 안정도 / 한국정보기술학회논문지 9 (7) : 35 ~ 40

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