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다양한 게이트 핑거 수(Nf)의 MOSFET에 대한 두 종류의 입력 저항이 S11-parameter와 Z11-parameter으로부터 변환되어 저주파 영역에서 측정되었다. 본 연구에서 사용된 Nf ≤ 64의 범위에서 S11-parameter로부터 추출된 1/Nf 종속 입력저항은 Z11-parameter로부터 추출된 입력 저항보다 훨씬 낮은 값을 보여주며, 이러한 1/Nf 종속성은 MOSFET의 등가회로로부터 유도된 Nf 종속 비선형 방정식으로부터 이론적으로 증명하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Measurement and Analysis
Ⅲ. Conclusions
REFERENCES
참고문헌 (9)
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1. [학술대회논문] - C. S. Kim / 1997 / CMOS layout and bias optimization for RF IC design applications / IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. : 945 ~ 948
2. [학술지(정기간행물)] - Y.-S. Lin / 2003 / An analysis small-signal gate-drain resistance effect on RF power MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 50 (2)
3. [학술지(정기간행물)] - Y. -S. Lin / 2005 / An analysis of small-signal source-body resistance effect on RF MOSFETs for low-cost system-on-chip(SoC)applications / IEEE Trans. Electron Devices 52 (7) : 1442 ~ 1451
4. [학술지(정기간행물)] - J. Cha / 2008 / Uncertainty analysis of two-step and three-step methods for deembedding on-wafer RF transistor measurements / IEEE Trans. Electron Device 55 : 2195 ~ 2201
5. [단행본] - R. Ludwig / 2010 / RF Circuit Design Theory and Applications / Prentice Hall : 182 ~ 183
2. [학술지(정기간행물)] - Y.-S. Lin / 2003 / An analysis small-signal gate-drain resistance effect on RF power MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 50 (2)
3. [학술지(정기간행물)] - Y. -S. Lin / 2005 / An analysis of small-signal source-body resistance effect on RF MOSFETs for low-cost system-on-chip(SoC)applications / IEEE Trans. Electron Devices 52 (7) : 1442 ~ 1451
4. [학술지(정기간행물)] - J. Cha / 2008 / Uncertainty analysis of two-step and three-step methods for deembedding on-wafer RF transistor measurements / IEEE Trans. Electron Device 55 : 2195 ~ 2201
5. [단행본] - R. Ludwig / 2010 / RF Circuit Design Theory and Applications / Prentice Hall : 182 ~ 183
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