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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.11
- 수록면
- 122 - 125 (4page)
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The commercial grade components in the system are severely affected by various kinds of radiation particles. The advanced countries on the radiation hardening technologies for the passive and active components, which are mounted on the system, have been doing research in the field of radiation effects for electronic circuits for space and defense, and are at the level of stabilization. However, our country is the beginning stage of the related technologies. Thus, much research is required regarding these technologies. The electrical components are affected by dose, dose rate, and particle strength, then the electrical characteristics are not satisfied with the specifications, making mal-functions or error. In this paper, TID (Total Ionizing Dose) experiment at the low energy γ rays using 60Co and SEGR (Single Event Gate Rupture) experiment for a MOSFET mounted in DC/DC converter at the cyclotron facility with heavy ions are studied.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. DC/DC 컨버터용 MOSFET
Ⅲ. MOSFET의 방사선의 영향
Ⅳ. 결론
참고문헌
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