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본 논문에서는 밀리미터파 센서 응용을 위한 낮은 변환손실 및 높은 LO-RF 격리도 특성의 W-band MMIC 믹서 모듈을 설계 및 제작하였다. MMIC 믹서는 0.1 ㎛ MHEMT를 이용하여 설계 및 제작되었다. MMIC 믹서는 낮은 변환손실과 높은 LO-RF 격리도 특성을 얻기 위해 RF 입력단에 MHEMT를 추가하여 설계하였다. 제작된 MMIC 칩을 모듈화 하기 위해 CPW-도파관 변환기를 설계 및 제작하였으며, 최종적으로 MMIC 믹서 모듈을 개발하였다. MMIC 믹서 모듈의 측정결과 변환 손실 특성은 94 GHz에서 MMIC 칩은 6.3 dB, MMIC 모듈은 9.5 dB의 양호한 특성을 나타내었다. MMIC 믹서 모듈의 LO-RF 격리도는 94 GHz에서 30.4 dB의 양호한 측정 결과를 얻었다. 본 논문에서 개발된 W-band MMIC 믹서모듈은 기존의 발표된 W-band(75-110 GHz) MMIC 믹서와 비교하여 우수한 성능을 나타내었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Metamorphic HEMT의 특성
Ⅲ. W-band 믹서 모듈의 설계 및 제작
Ⅳ. W-band 믹서 모듈의 성능측정
Ⅴ. 결론
REFERENCE
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
Dan An / 2006 / A Novel 94-GHz MHEMT Resistive Mixer Using a Micromachined Ring / IEEE Microwave and Wireless Components Lett. 16(8):467~469
Sung Chan Kim / 2006 / High-Performance 94-GHz Single Balanced Mixer Using 70-nm MHEMTs and Surface Micromachined Technology / IEEE Elec. Device Lett. 27(1):28~30
Dan An / 2006 / High Switching Performance 0.1-um Metamorphic HEMT for Low Conversion Loss 94-GHz Resistive / IEEE Elec. Device Lett. 26(10):707~709
Bok-Hyung Lee / 2004 / Small-Signal Analysis of High Maximum Frequency of Oscillation 0.1-um Off-Set Γ-Shaped Gate InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic High Electron Mobility Transistors / Jpn. J. Appl. Phys. 43:1914~1918
Masayuki Kimishima / 2001 / A Family of Q, V and W-band Monolithic Resistive Mixers / 2001 IEEE MTT-S Dig. :115~118
Sung Chan Kim / 2006 / High-Performance 94-GHz Single Balanced Mixer Using 70-nm MHEMTs and Surface Micromachined Technology / IEEE Elec. Device Lett. 27(1):28~30
Dan An / 2006 / High Switching Performance 0.1-um Metamorphic HEMT for Low Conversion Loss 94-GHz Resistive / IEEE Elec. Device Lett. 26(10):707~709
Bok-Hyung Lee / 2004 / Small-Signal Analysis of High Maximum Frequency of Oscillation 0.1-um Off-Set Γ-Shaped Gate InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic High Electron Mobility Transistors / Jpn. J. Appl. Phys. 43:1914~1918
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